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　　美(měi)光公(gōng)司在华销售的(de)产品未(wèi)通(tōng)过网络安全审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室(shì)依法对美光公司在华销售产品进(jìn)行了网络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司产(chǎn)品存在(zài)较严重网络安全问题隐患，对(duì)我(wǒ)国关键信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)造成(chéng)重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全(quán)审查办(bàn)公室依法作出不予通过网络安全审(shěn)查的(de)结论。按照《网络(luò)安全法》等法律(lǜ)法规，我(wǒ)国(guó)内关键信息基(jī)础设施(shī)的(de)运营者应停(tíng)止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公司产品(pǐn)进行网络安全审查，目(mù)的是防范产(chǎn)品网络安全问题危害国家(jiā)关键信息(xī)基(jī)础设施安全，是维护国家安全的必要(yào)措施。中(zhōng)国(guó)坚定(dìng)推进高水平对外开(kāi)放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求(qiú)，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各(gè)类平台(tái)产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障关(guān)键信息基(jī)础设施供(gōng)应链安(ān)全，防范产品问(wèn)题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国(guó)网(wǎng)络(luò)安全法》，网络(luò)安全审查办公(gōng)室(shì)按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的(de)产品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的(de)存储芯片(piàn)行(xíng)业(yè)龙(lóng)头，也是(shì)全球(qiú)存储芯片巨头之一，202适合和合适的区别爱情，适合和合适的区别是什么2年收入(rù)来自(zì)中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公适合和合适的区别爱情，适合和合适的区别是什么司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经显著下降，至(zhì)少已(yǐ)经不是主要大(dà)供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列(liè)江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大、第二大(dà)和第三大供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已(yǐ)经在存储产业链(liàn)上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署(shǔ)了(le)长期合(hé)约，确保(bǎo)存(cún)储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩固公司在下(xià)游市(shì)场的供应(yīng)优(yōu)势，公司也与国内(nèi)国(guó)产存储晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在中国(guó)区(qū)销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客(kè)户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士(shì)，国内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生(shēng)产已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到(dào)3维(wéi)的(de)结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成(chéng)为最关(guān)键、最大量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会(huì)更深的孔或(huò)者(zhě)沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜(mó)沉积(jī)设(shè)备及刻适合和合适的区别爱情，适合和合适的区别是什么蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支合计(jì)为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产化(huà)进程加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关公司(sī)份额(é)提升，以(yǐ)及存储业(yè)务占(zhàn)比较高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等(děng)收入增长。

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