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　　美光公(gōng)司(sī)在华销售的产品未通过网络(luò)安全(quán)审(shěn)查(chá)

　　据网信办(bàn)消息，日(rì)前，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依法对美光公(gōng)司在华(huá)销售产(chǎn)品进行了网络安全(quá阻抗实部虚部是什么意思，实部虚部是什么意思啊n)审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安(ān)全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设施(shī)供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安(ān)全审查办公室依法作出不予通过(guò)网络安全审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等(děng)法律法规(guī)，我国(guó)内关键信息基础设施的运营者(zhě)应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次(cì)对美光(guāng)公司产(chǎn)品进行网络安(ān)全审(shěn)查，目的是防范产品网络安(ān)全问(wèn)题(tí)危(wēi)害国家关键(jiàn)信息基(jī)础设施安全(quán)，是(shì)维护国(guó)家(jiā)安全的(de)必(bì)要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企业(yè)、各类(lèi)平台产(chǎn)品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基(jī)础(chǔ)设施(shī)供应链(liàn)安全，防范产品问(wèn)题隐患(huàn)造成网(wǎng)络安(ān)全(quán)风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全审查办公室(shì)按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施(shī)网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存储芯片行(xíng)业龙头(tóu)，也(yě)是全球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市(shì)场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美(měi)光等国(guó)际存储厂(chǎng)商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至(zhì)少已经不(bù)是主要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光(guāng)位(wèi)列江(jiāng)波龙第一大(dà)存储晶圆供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.阻抗实部虚部是什么意思，实部虚部是什么意思啊76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产(chǎn)业链(liàn)上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美(měi)光(guāng)、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保存储晶圆供(gōng)应的(de)稳定性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应优(yōu)势(shì)，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美(měi)光在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致(zhì)下(xià)游(yóu)客户转而(ér)采购国(guó)外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设(shè)备厂或从中受益。存储器(qì)的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的(de)结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最(zuì)大量的(de)加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的(de)深(shēn)孔(kǒng)，未来(lái)可能(néng)会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存(cún)储被(bèi)加入美国限制(zhì)名单，设备国产(chǎn)化进程加速(sù)，看(kàn)好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份(fèn)额提升(shēng)，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等(děng)收入增长。

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