大家好，来看一则突(tū)发(fā)消息。

　　美(měi)光公司在(zài)华销售的产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)公室依法对(duì)美光公司在华(huá)销售产品(pǐn)进(jìn)行(xíng)了(le)网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公司产品存在较严重网络(luò)安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成申请结尾的恳请语怎么写，特此申请的特是什么意思重大安全风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网络安全审查办公室(shì)依(yī)法作出不(bù)予(yǔ)通过网络安全审(shěn)查的结论(lùn)。按照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安全(quán)法(fǎ)》等法律法规(guī)，我国内关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施的运营者应停止采购美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查(chá)，目(mù)的(de)是(shì)防(fáng)范产(chǎn)品网(wǎng)络安全问题(tí)危害国家关键信息基础(chǔ)设施安全，是维护国家安(ān)全的必要(yào)措施。中(zhōng)国(guó)坚定推(tuī)进高水平(píng)对(duì)外开(kāi)放，只要(yào)遵守中(zhōng)国法律法规(guī)要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品(pǐn)服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链(liàn)安全，防范产品(pǐn)问题隐患造(zào)成网络安全(quán)风险，维(wéi)护(hù)国家(jiā)安(ān)全(quán)，依(yī)据(jù)《中(zhōng)华人民共(gòng)和国国家安全(quán)法》《中(zhōng)华(huá)人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实(shí)施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收(shōu)入来(lái)自中国市场收入(rù)从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司披露过美光等(děng)国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经显(xiǎn)著下(xià)降，至少已(yǐ)经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙(lóng)第一大(dà)存储晶(jīng)圆供(gōng)应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第(dì)三大供应商(shāng)采购金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立国(guó)内(nèi)外(wài)广泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存(cún)储晶圆(yuán)供(gōng)应的(de)稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的供应优势，公司也(yě)与(yǔ)国内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在中(zhōng)国区销(xiāo)售受(shòu)到限(xiàn)制，或(huò)将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对(duì)产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器(qì)的(de)生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经(jīng)过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多(duō)设(shè)备需(xū)求。据东京电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合(hé)计为75％。自(zì)长江(jiāng)存储被(bèi)加入(rù)美(měi)国限制名单，设备国产化进程(chéng)加速(sù)，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额(é)提升(shēng)，以及存储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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