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　　美(měi)光公司在(zài)华销售(shòu)的产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依法(fǎ)对(duì)美光公司在华销(xiāo)售(shòu)产(chǎn)品(pǐn)进行了(le)网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查。

　　审查(chá)发现，美光公(gōng)司产品存在(zài)较严重网络(luò)安(ān)全问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国(guó)关键信息基(jī)础设施(shī)供应链(liàn)造(zào)成(chéng)重(zhòng)大安全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法作出(chū)不予通过网络(luò)安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营(yíng)者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网络安全审(shěn)查，目的是防范(fàn)产品网络(luò)安全问(wèn)题危(wēi)害国(guó)家关键信(xìn)息基础设施(shī)安(ān)全，是维护国(guó)家安全的必要(yào)措(cuò)施(shī)。中国坚(jiān)定推进(jìn)高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法规要(yào)求，欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各(gè)类平(píng)台产(chǎn)品服务(wù)进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发(fā)文(wén)称，为保障关键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施供应链安全(quán)，防(fáng)范产品问题隐患造成网络(luò)安全风险，维护国家(jiā)安全(quán)，依据《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国(guó)网络安全法》，网络安(ān)全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公发小是男的还是女的啊 发小是指什么关系司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的存(cún)储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全(quán)球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司(sī)披露过(guò)美(měi)光(guāng)等(děng)国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著(zhù)下降(jiàng)，至少已经不(bù)是发小是男的还是女的啊 发小是指什么关系(shì)主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位(wèi)列(liè)江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一大(dà)、第(dì)二大和第(dì)三大(dà)供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经(jīng)在存储产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年(nián)年(nián)报显示(shì)，江波龙与三星、美(měi)光、西部(bù)数(shù)据等主要存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署(shǔ)了(le)长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场的供(gōng)应优势(shì)，公(gōng)司也与国(guó)内国产存(cún)储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美(měi)光在中国(guó)区销售受到限制，或将导致下游(yóu)客户转而(ér)采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂或从中受(shòu)益。存储器的(de)生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可能(néng)会更深(shēn)的孔(kǒng)或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及(jí)刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本(běn)开(kāi)支合(hé)计为75％。自(zì)长江存储被加(jiā)入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉(chén)积）等相关(guān)公司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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